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作者 主题: 21--微星Z87-MPOWER主板BIOS设置解说(二) <2013-10-19>  (阅读 1978 次)

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gogochen

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21--微星Z87-MPOWER主板BIOS设置解说(二) <2013-10-19>
« 于: 八月 16, 2014, 10:52:05 上午 »


微星Z87-MPOWER主板BIOS设置解说(二)

三、OC(超频)



OC(超频)设置包括CPU、内存、集显的频率设置、电压设置,以及CPU和北桥的相关设置。

所有的设置项目如下


3-1、当前CPU/DRAM/Ring频率(Current CPU/DRAM/Ring Frequency)
显示当前的CPU/DRAM/Ring总线频率,只读。


3-2、CPU Base Clock (MHz)(CPU基本时钟频率)
设置CPU基本时钟频率,也就是外频。你可以调整这个值来超频。请注意不能担保超频成功和稳定。当处理器支持这项功能才显示。长期使用不建议调节,保持默认100MHz即可。

3-3、Adjust CPU Base Clock Strap(调整CPU基本时钟频率档位)
CPU基本时钟频率档位也就是CPU外频的倍率,设置项有:

默认是Auto。调整该项对CPU外频、核显频率、内存频率产生影响,但在总频率相同情况下CPU外频的高低不会对性能产生影响,常常是为了配合实现更多的内存频率组合而设置,一般用1.0和1.25就可以。
该选项上边的Current CPU Base Clock Strap(当前CPU基频时钟档位)显示的是当前的基频时钟档位。

3-4、CPU Base Clock Apply Mode(CPU基本频率应用模式)
设置已调整的CPU基本频率应用模式。设置项有:

[Auto] 由BIOS自动配置(默认)。
[Next Boot] 重新启动后执行这个调整的频率。重新启动时钟芯片复位一次,增加外频的稳定性。
[Immediate] 立即执行调整的频率。
[During Boot]在启动期间执行调整的频率。

3-5、CPU PCIE PLL(CPU PCIE锁相环)
选择CPU PCIE总线的锁相环模式。当CPU支持该功能时才出现该选项。设置项有:

[Auto] 由BIOS自动配置(默认)。
[LC PLL] LC PLL可增加BCLK信号稳定性,但BCLK超频幅度会比较小,所以不超外频可以使用LC PLL。
[SB PLL] SB PLL可以是BCLK超频能力增强,所以超外频时可以选SB PLL。

3-6、Filter PLL (滤波器锁相环)
开启/关闭CPU的过滤器锁相环。CPU支持该功能才能显示该项。设置项有:

[Auto] 由BIOS自动配置(默认)。
[Enabled]当BCLK档位设置很高的值,开起该项可以提供范围更广的基本时钟频率。.
[Disabled] 提供常规的基本时钟频率。
开启该项有利于CPU大幅度超频,当超高外频和倍频时可以打开,100外频和45倍频以下可以不打开。

3-7、Adjust CPU Ratio(调整CPU倍频)
设置决定CPU速度的倍频,该项仅当CPU支持超倍频的时候才可以超。设置的时候直接键入倍频数值。如下图键入25。

该项下面显示的Adjusted CPU Frequency,是已经调整完成的CPU频率。

3-8、EIST(智能降频)
开启/关闭EIST(默认开启)。EIST全称是Enhanced Intel SpeedStep Technology,也就是智能降频技术,它能够根据不同的系统工作量自动调节处理器的电压和频率,以减少耗电量和发热量。

3-9、Intel Turbo Boost(英特尔睿频技术)
开启/关闭Intel Turbo Boost(默认开启)。该项仅当CPU支持Turbo Boost的时候才可以显示该项。Turbo Boost是自动超频技术,当系统要求更高的性能状态时,CPU会自动提高倍频(Boost范围内的倍频)。

3-10、Enhanced Turbo(增强Turbo)
开启/关闭增强Turbo功能。增强Turbo可以增加所有CPU核心的性能。
设置项有

[Auto] 由BIOS自动配置。
[Enabled]所有CPU核心都增加到最大倍率。
[Disabled] 关闭该功能。

3-11、Legacy Tweaking(传统调整)
传统的动态超频。默认是关闭的。
[Enabled]开启传统调整。
[Disabled] 关闭该功能。

3-12、OC Genie Function Control(超频精灵功能管理)
OC Genie功能可以由主板上的OC Genie按钮控制,也可以由BIOS的虚拟按钮控制。这个选项就是设置由哪个控制。
[By BIOS Options]由BIOS选项控制。
[By On board Button]由主板上的按钮控制。(默认)

启用OC Genie,CPU超频到4.0GHz。


3-13、Adjust Ring Ratio(调整环倍率)
这个Ring Ratio直译是环倍率。其实就是CPU核心以外的,比如Cache(缓存)的倍率。可以直接输入倍率数值,而且可以超过CPU核心的倍率,不影响内存频率。

如上例,CPU核心是35倍,Ring Ratio设置为38倍,内存频率还是1600。
该选项下面的Adjusted Ring Frequency是显示已经调整的Ring频率。

3-14、Adjust GT Ratio(调整GT倍率)
设置集成显卡的倍率。可以直接输入倍率数值,有效数值取决于使用的CPU。
该选项下面的Adjusted GT Frequency是显示已经调整的GT频率。

3-15、DRAM Reference Clock(DRAM参考时钟)
设置内存的参考时钟频率。设置参数如下

默认Auto,200MHz/266MHz。

3-16、内存频率
设置内存频率。从频率的下拉菜单选择。注意:内存超频不一定保证成功。

该选项下面的Adjusted DRAM Frequency是显示已经调整的内存频率。

3-17、扩展内存预设技术(X.M.P)
开启/关闭扩展内存预设技术(X.M.P),默认是关闭。
扩展内存预设技术(X.M.P)是Intel提出来的一种内存频率预设技术,常用于内存超频。当你使用的内存条支持XMP技术,BIOS的这项设置就是可以设置的,否则是灰色不可设置的。

3-18、DRAM时序模式(DRAM Timing Mode)
设置内存时序模式,设置项如下:

[Auto] DRAM时序取决于使用的内存条的SPD。
[Link] 允许用户对所有通道的内存手动配置DRAM时序。
[UnLink] 允许用户对各个通道的内存分别手动配置DRAM时序。
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gogochen

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Re: 21--微星Z87-MPOWER主板BIOS设置解说(二) <2013-10-19>
« 回复 #1 于: 八月 16, 2014, 10:54:18 上午 »


3-19、高级内存配置(Advanced DRAM Configuration)
DRAM时序模式设置为Link或者UnLink时,高级内存配置变成可以设置的,而且点击后进入二级菜单。如果DRAM时序模式是Link,高级内存配置是双通道一次设置,如果是UnLink,就要二个通道分别设置。高级内存配置分常规时序配置,高级时序配置和延迟时序配置等三部分。

3-19-1、常规时序配置

上列内存参数设置,左侧是参数名称,中间是默认值,右侧是设置项(Auto,就是按SPD的默认设置),要修改设置,请直接输入数值。

CR(Command Rate,DRAM Command Mode):首命令延迟,也就是我们平时说的 1T/2T模式。是指从选定bank之后到可以发出行地址激活命令所经过的时间。CR可能对性能的影响有比较大的变数:如果 CPU所需要的数据都在内存的一个行地址上,就不需要进行重复多次的bank选择,CR的影响就很小;但是如果一个rank中 同时多个bank要激活行地址,或者不同的 rank中不同bank需要同时激活的时候,CR对性能的影响就会提升。但是随着内 存频率的提升,CR=1T/2T的时间差越短,它的影响就会越来越小,这就是我们看到DDR1的时候1T/2T对性能影响挺大,但 是到了DDR3影响就很小的其中一个原因。但是为了性能最大化,我们尽量把CR设为1T,但是如果bank数很多的时候,例 如插满四条内存,就有32个bank,bank选择随机性增大,1T的首命令时间可能会不稳定。

tCL(CAS Latency):CAS延迟。CAS即Column Address Strobe,列地址信号,它定义了在读取命令发出后到数据读出到IO接口的间隔时间。由于CAS在几乎所有的内存读取操作中都会生效(除非是读取到同一行地址中连续的数据,4bit颗粒直接读取间隔3个地址,8bit颗粒直接读取间隔7个地址,这时候CAS不生效),因此它是对内存读取性能 影响最强的。
已知CL时钟周期值CAS,我们可以使用以下公式来计算实际延迟时间tCAS:
tCAS(ns)=(CAS*2000)/内存等效频率

例如,DDR3-1333 CL9内存实际CAS延迟时间=(9*2000)/1333=13.50 ns
或者反过来算,假如已知你的内存可以在7.5ns延迟下稳定工作,并且你想要DDR3-2000的频率,那么你可以把 CL值设为8T(实际上8ns,大于7.5ns即可),如果你想要DDR3-1600的频率,那么你的CL值可以设到6T(实际7.5ns)。
这个公式对于所有用时钟周期表示延迟的内存时序都可以用。

说到这个公式,顺便说说大家对频率和时序的纠结问题。首先来回顾一下DDR一代到三代的一些典型的JEDEC规范,并按照上边那个公式算一下它的CL延迟时间:
DDR-400 3-3-3-8:(3*2000)/400=15 ns
DDR2-800 6-6-6-18:(6*2000)/800=15 ns
DDR3-1333 9-9-9-24:刚才算了是13.5 ns

再来看看每一代的超频内存的最佳表现(平民级,非世界纪录):
DDR1 Winbond BH-5 DDR-500 CL1.5:(1.5*2000)/500=6 ns
DDR2 Micron D9GMH DDR2-1400 CL4:(4*2000)/1400=5.71 ns
DDR3 PSC A3G-A DDR3-2133 CL6:(6*2000)/2133=5.63 ns

可以看到不管是哪一代内存,随着频率提升,CL周期也同步提升,但是最后算出来的CL延迟时间却差不多。那么到了DDR4,JEDEC规范频率达到DDR4-4266,如果按照差不多的延迟,那么按照13ns多一些来算,那么CL值将达到 28T!如果按照我们的极限超频延迟来算,DDR4-4266下的延迟也将达到12T。所以到了下一代DDR4,两位数的时钟周期将不可避免。
所以,不要再去想什么DDR3的频率,DDR2的时序,在频宽严重过剩,IMC成为瓶颈的今天,它对性能没太多的提升。

tRCD(RAS to CAS Delay):RAS的含义与CAS类似,就是行(Row)地址信号。 它定义的是在内存的一个rank(内存的一面)之中,行地址激活(Active)命令发出之后,内存对行地址的操作所需要的时间。每一个内存cell就是一个可存储数据的地址,每个地址都有对应的行号和列号,每一行包含1024个列地址,当某一行地址被激活后,多个CAS请求会被发送以进行读写操作。简单的说,已知行地址位置,在这一行中找到相应的列地址,就可以 完成寻址,进行读写操作,从已知行地址到找到列地址过去的时间就是 tRCD。当内存中某一行地址被激活时,我们称它为 “open page”。在同一时刻,同一个rank可以打开8个行地址(8个bank,也就是8个颗粒各一个)。下图 显示一个行地址激活命令发出,到寻找列地址并发出读取指令,中间间隔的时间就是tRCD。tRCD值由于是最关键的寻址时间,它对内存最大频率影响最大,一般想要上高频,在加电压和放宽CL值不奏效的时候,我们都要放宽这个延迟。
JEDEC规范中,它是排在第二的参数,降低此延时,可以提高系统性能,如果该值设置太低,同样会导致系统不稳定。参数范围4-15T。

tRP(Row precharge Delay):RAS预充电时间。它定义的是前一个行地址操作完成并在行地址关闭(page close)命令发出之后,准备对同一个bank中下一个行地址进行操作,tRP就是下一个行地址激活信号发出前对其进行的预充电时间。由于在行地址关闭命令发出之前,一个rank中的多个行地址可能正在被读写,tRP对内存性能影响不如CL和tRCD。虽然tRP的影响会随着多个行地址激活与关闭信号频繁操作一个bank而加大,但是它的影响会被bank interleaving(bank交叉操作)和command scheduling(命令调配)所削弱。交叉读写会交替使用不同的bank 进行读写,减少对一个bank的操作频率;命令调配则是由CPU多线程访问不同的内存地址,同样是减少对一个bank的频繁操作次数。例如SNB CPU的内存控制器可以对读写操作命令进行有效地重新分配,以使得行地址激活命中率最大化(如果重复激活一个已经处于激活状态的行地址,那就是RAS激活命令未命中),所以tRP在SNB平台对性能的影响不大,并且放宽它有可能可以帮助提升稳定性。
参数范围4-15T。JEDEC规范中,它是排在第三的参数。

tRAS(Row active Strobe):行地址激活的时间。它其实就是从一个行地址预充电之后,从激活到寻址再到读取完成所经过的整个时间,也就是tRCD+tCL的意思。这个操作并不会频繁发生,只有在空闲的内存新建数据的时候才会使用它。太紧的tRAS值,有可能会导致数据丢失或不完整,太宽的值则会影响内存性能,尤其是在内存使用量增加的时候。所以一般为了稳定性,我们设置tRAS≥tRTP+tRCD+CL即可。
参数范围10-40T。JEDEC规范中,它是排在第四的参数。

tRFC(Refresh Cycle Time):行地址刷新周期,定义了一个bank中行地址刷新所需要的时间。重提一下刷新的含义,由于cell中电容的电荷在MOSFET关闭之后一段时间就会失去,为了维持数据,每隔很短一段时间就需要重新充电。这里多提一句,Intel平台和AMD平台对tRFC的含义不一样,AMD平台的tRFC是DRAM刷新延迟时间,单位是ns,通常有90/110/160/300几个值可以调整,也就是说它的tRFC时钟周期会随着频率的提升 而提升;而Intel平台的单位则直接是时钟周期,相反地延迟时间会随着频率的提升而降低。容量大的bank行地址和cell会更多,刷新时间也更长,因此tRFC也要更高。另外,tRFC如果太快会导致数据出错,太慢则影响性能,但可以增加稳定性。
tRFC值越小越好,它比tRC的值要稍高一些。参数范围48-200T。

tREFI(DRAM Refresh Interval):内存刷新时间间隔,也就是内存的刷新命令生效前要经 过的时间。刷新的时间间隔一般取决于内存颗粒的容量(density),容量越大,就越需要频繁刷新,tREFI值就要越低。另 外 tREFI的时间也会受到内存工作温度与内存电压(Vdimm)影响,因为温度越高电容漏电越快。一般在AMD主板的BIOS 里,这个值只有3.9us和 7.8us可选,而在SNB平台,则是按时钟周期算,例如DDR3-1333下默认值为5199T,换算过来就 是 2000/1333x5199=7800ns,也就是7.8us。一般DRAM颗粒的spec中都是规定工作温度大于85度时采用3.9us。

tWR(Timing of Write Recovery):内存写入恢复时间,它定义了内存从写入命令发出 (从开始写入算起)到下一次预充电间隔的时间,也就是tRP的前一个操作。如果这个时间设得太短,可能会导致前一次写入未完成就开始下一次预充电,进行寻址,那么前一次写入的数据就会不完整,造成丢数据的情况。这个周期也是第二时序中比较长的,DDR3-2000一般需要10-14个周期,甚至更高。
过低的tWR虽然提高了系统性能,但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中,就发生了预充电操作,会导致数据的丢失及损坏。参数范围5-32T。

tWTR(Write to Read Delay):内存写-读延迟,它定义的是内存写入命令发出后到下一个读取命令之间的时间间隔,最小为4T,与tRTP类似,提升内存的频率或者容量提升时,这个值需要提高。参数范围4-15T。

tRRD(RAS to RAS Delay):行地址间延迟,定义的是同一rank不同bank间两个 连续激活命令的最短延迟,在DDR3时代一般最小是4T。它的作用和CR有点像,不过比CR更多的时候对性能有较大的影响 ,所以这个时序可尽量缩小。参数范围4-15T。

tRTP(DRAM READ to PRE Time):与tWR类似,定义了同一rank上内存从读取命 令发出到tRP之前的间隔时间,但是它在读取完成并且行地址关闭之后才会生效。单颗128MB的内存颗粒可以在DDR3- 2000下运行在4到6个时钟周期,如果bank容量增大时,这个时序有可能要放宽。参数范围4-5T。

tFAW(Four Activate Window):FAW是Four Bank Activate Window的缩写,4个Bank激活窗口。它定义了同一rank中允许同时发送大于四个行激活命令的间隔时间,因此最小值应该不小于tRRD的四倍。在DDR3上,tRRD的最小值是4T,因此tFAW的最小值就是16T。这个tFAW由于是在一个rank中大于四个bank同时激活之后才生效,因此在内存不是很繁忙的时候,它对性能的影响并不是很大。但是对一些频繁读写内存的操作(例如SuperPI 32M),tFAW对性能的影响可能会加大。由于现在内存用满的几率非常非常小,两根双面的内存更是有4个rank,配合上interleaving,一个rank中同时激活大于四个bank的几率应该不大 ,所以通常我们把它设为tRRD的四倍应该就不会出问题。

tWCL(Write CAS# Latency):写CAS#延迟。SDRAM内存是随机访问的,这意味着内存控制器可以把数据写入任意的物理地址,大多数情况下,数据通常写入距离当前列地址最近的页面。tWCL表示写入的延迟,除了DDRII,一般可以设为1T,这个参数和大家熟悉的tCL(CAS-Latency)是相对的,tCL表示读的延迟。该参数主要影响稳定性。参数范围5-15T。

tCKE(Clock Enable):CKE是时钟有效信号,在这里这个参数叫做CKE Minimum Plus Width,就是CKE最小脉冲宽度。

3-19-2、高级时序配置
高级时序配置包括读-读,写-写,写-读,读-写四种操作的时间。这四种操作可以在所有DIMM槽的Rank之间进行,也可以在不同的DIMM槽的Rank之间进行,还可以在同一DIMM槽的Rank之间进行。因此衍生出12个高级时序设置。

tRDRD(Timing of Read to Read):读到读时间。这是在不同的内存芯片或DIMM槽之间,第一个虚拟CAS读突发操作到跟着的一个读突发操作的最小周期时间。这个参数也是越小越好,但太小也会不稳定。

tRDRDDR(Timing of Read to Read Different Rank):这个参数的含义是读取不同RANK的读到读时间(包括了所有DIMM)。参数范围1-6T。

tRDRDDD(Timing of Read to Read Different Rank,same DIMM):这个参数的含义是在同一个DIMM(就是同一条内存)内,读取不同RANK的读到读时间。参数范围1-6T。

tWRWR(Timing of Write to Write):写到写时间。这是从第一个虚拟CAS写突发操作的最后一个周期到跟着的一个写突发操作(这个改变是终端器允许的)的最小周期时间。这个参数也是越小越好,但太小也会不稳定。

tWRWRDR(Timing of Write to write Different Rank):这个参数的含义是写不同RANK的写到写时间(包括了所有DIMM)。参数范围1-6T。

tWRWRDD(Timing of Write to Write Different Rank,same DIMM):这个参数的含义是在同一内存条上写不同RANK的写到写时间。参数范围1-6T。

tWRRD(Timing of Write to Read):写到读时间。这是在不同的内存芯片或DIMM槽之间,第一个虚拟CAS写突发操作到跟着的一个读突发操作的最小周期时间。这个参数也是越小越好,但太小也会不稳定。

tWRRDDR(Timing of Write to Read Different Rank):这个参数的含义是写和读不同RANK的写到读时间(包括了所有DIMM)。参数范围1-6T。

tWRRDDD(Timing of Write to Read Different Rank,same DIMM):这个参数的含义是在同一内存条上写和读不同RANK的写到读时间。参数范围1-6T。

tRDWR (Timing of Read to Write):读到写时间。这是在不同的内存芯片或DIMM槽之间,第一个虚拟CAS读突发操作到跟着的一个写突发操作的最小周期时间。这个参数也是越小越好,但太小也会不稳定。

tRDWRDR(Timing of Read to Write Different Rank):这个参数的含义是读和写不同RANK的读到写时间(包括了所有DIMM)。参数范围1-6T。

tRDWRDD(Timing of Read to Write Different Rank,same DIMM):这个参数的含义是在同一内存条上读和写不同RANK的读到写时间。参数范围1-6T。

3-19-3、延迟配置

默认是Auto,设置时直接输入延迟数值。

tIOL:IOL=IO Latency,就是内存的IO延迟。
tRTL:RTL=Round Trip Latency,就是往返(双程)延迟。
CH1/CH2:通道1/通道2,双通道内存控制器支持2个通道。
D0/D1:DIMM0(内存插槽0)/DIMM1(内存槽1),一个通道支持2个内存槽。
R0/R1:Rank0/Rank1,Rank是内存条的位宽,64位位宽是1个Rank(Rank0),128位是2个Rank(Rank0和Rank1)。所以Rank也可以翻译成“排”,一个“排”是64位。
上面的延迟配置就是针对一个通道的一个DIMM槽的一个“排(Rank)”的IO延迟和RT延迟。

有关Rank(排)和Bank(库)的概念解释如下:
CPU与内存之间的数据接口位宽是64bit,也就意味着CPU在一个时钟周期内会向内存发送或从内存读取64bit的数据。可是,单个内存颗粒的位宽仅有4bit、8bit或16bit,个别也有32bit的。因此,必须把多个颗粒并联起来,组成一个位宽为64bit的数据集合,才可以和CPU互连。内存条生产商把64bit集合称为一个物理BANK(Physical BANK),简写为P-BANK。为了和逻辑BANK相区分,也经常把P-BANK称为RANK或Physical RANK,把L-BANK则简称为BANK。
如果每个内存颗粒的位宽是8bit,应该由8个颗粒并联起来,组成一个RANK(64bit);同理,如果颗粒的位宽是16bit,应该由4个颗粒组成一个Rank。
由此可知:Rank其实就是一组内存颗粒位宽的集合。具体说,当颗粒位宽×颗粒数=64bits时,这个内存条就是有一个Rank。

为了保证和CPU的沟通,一个内存条至少要有一个Rank。
内存条的“(面Side)”和“排Rank”
“面(Side)”是指内存条PCB的2个面,颗粒可以焊接在其中一面,或者二面。每一面可以焊接8颗颗粒。
“排Rank”是颗粒位宽的集合,一个Rank是64位位宽。
所以“(面Side)”和“排Rank”是2个不同的概念。

内存条的面(Side)和排(Rank)有什么关系?
下面是常见内存条的结构

从上表可以看到,双面内存一般是2Rank,单面的有1Rank,也有2Rank,2Rank的是8颗16位宽的颗粒。

3-19-4、On-Die Termination Configuration(片内终端电阻配置)

终端电阻的作用是降低信号的回授。从DDR2开始信号的终端电阻移到内存芯片内部,而且是动态的,一路信号的终端电阻由2-3个组成,可以根据内存运作不同调整而改变阻值。
BIOS片内终端电阻配置的几个英文词含义如下:
Rtt----终端电阻
Rtt Wr----写入时的电阻值
Rtt Nom----常规时的电阻值
CH1/2----通道1/2
D0/1---- DIMM0(内存插槽0)/DIMM1(内存槽1),一个通道支持2个内存槽。
60/30----终端电阻阻值

常规时的阻值设置


写入时的阻值设置

阻值高,信号回授的就衰减的高,信号清晰度好。但是阻值高也影响速度。微星提供的阻值参数是符合DDR3内存规格的。

3-20、DRAM Training Configuration(DRAM训练配置)这是一个二级菜单,回车后进入子菜单。子菜单有28项DRAM训练设置。这些项目的设置都是3个选项自动/禁止/允许,默认是自动。如果随意改变这些项目的设置,可能导致系统不稳定或者不能开机,出现这种情况要通过跳线(或按钮)清CMOS恢复默认设置。

这28项就不做详细的说明了。

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Re: 21--微星Z87-MPOWER主板BIOS设置解说(二) <2013-10-19>
« 回复 #2 于: 八月 16, 2014, 10:55:26 上午 »


3-21、Memory Fast Boot(内存快速启动)开启/关闭内存每次启动的初始化和训练。设置项有:
[Auto] 依据BIOS自动配置。
[Enabled] 内存将完成第一次初始化和第一次训练,之后按系统启动时序启动就不再初始化和训练。
[Disabled] 每次启动都初始化和训练。


3-22、Digit ALL Power(全数字供电)
进入子菜单,管理有关CPU PWM的数字供电设置。


3-22-1、VR 12VIN OCP Expander(电压调节器12V输入过电流保护扩展)
设置12V供输入的过电流保护。
[Auto]由BIOS自动配置过电流保护。
[1A-----63A] 按回车弹出保护电流菜单,手动设置保护电流值,可以从中选择。


3-22-2、CPU Phase Control(CPU供电相管理)
根据CPU负载管理PWM相。如果设置成“Auto”, BIOS将自动优化CPU PWM相。

[Auto] 依据BIOS自动配置。
[Normal]常规供电相管理。
[Optimized]优化供电相管理。
[Disabled] 关闭PWM供电相管理。

3-22-3、CPU Vdroop Offset Control(CPU电压降补偿管理)
设置CPU电压降的补偿电压百分比。

设置项有Auto, +12.5%, +25%, +37.5%, +50%,+62.5%, +75%, +87.5%, +100%。默认是Auto。Auto就是BIOS将自动配置补偿。

3-22-4、CPU Over Voltage Protection(CPU过电压保护)
设置CPU过电压保护。

设置项有Auto,400mV,500mV,600mV,700mC。默认是Auto。Auto就是BIOS自动配置过电压保护。如果保护电压设置过高,就会失去保护而导致系统毁坏。

3-22-5、CPU Under Voltage Protection (CPU欠电压保护)
设置CPU欠电压保护。

设置项有Auto,400mV,500mV,600mV,700mC。默认是Auto。Auto就是BIOS自动配置欠电压保护。如果保护电流设置过高,就会失去保护而导致系统毁坏。

3-22-6、CPU Over Current Protection (CPU过电流保护)
设置CPU过电流保护。

设置项有Auto,110%,120%,130%,140%,150%,160%,170%,180%,190%,200%。默认是Auto。Auto就是BIOS自动配置过电流保护。如果设置过高的百分比,就会失去保护而导致系统毁坏。

3-22-7、CPU Switching Frequency(CPU开关频率)
设置PWM工作速度,以便提供稳定的CPU核心电压和最小的纹波系数。
提高PWM工作速度将引起MOSFET温度偏高。因此在提高速度前,要确保为MOSFET准备一个更好的冷却方案。

设置项有Auto,260KHz,310MHz,370MHZ,440MHz,520MHz,600MHz,670MHz,740MHz。默认是Auto,Auto就是BIOS自动配置。

3-22-8、CPU VRM Over Temperature Protection(CPU VRM过热保护)
设置CPU 供电电压调节模块过热保护。

[Auto]BIOS自动配置。
[95℃---127℃]手动设置保护温度。

3-22-9、CPU Power Duty Control(CPU供电占空比控制)
选择电压调节模块供电相的控制方法。

[Thermal Balance] VRM热平衡控制。
[Current Balance] VRM电流平衡控制。

3-23、SVID Communication(SVID通信)
开启/关闭SVID(Serial Voltage Identification)支持,默认是Auto。SVID是串行电压识别。CPU的默认电压是通过CPU的部分针脚定义的,主板的PWM供电模块通过CPU针脚的电压定义识别CPU的默认电压。目前CPU针脚识别电压有2种方式,一种是并行ID,就是有若干针脚的阵列定义,一种是串行ID,由CPU的2根针脚发出串行的电压定义数据,串行电压ID的优点是可以动态管理CPU的默认电压。
[Auto] BIOS自动配置这项设置,默认Auto。
[Enabled]PWM相可以根据CPU的SVID(串行电压识别)动态的改变CPU的供电电压。
[Disabled]关闭SVID(Serial Voltage Identification)支持。

3-24、VCCIN Voltage(VCC输入电压)
设置CPU输入电压。CPU输入电压是CPU各组件共享的供电源。设置输入电压可以直接键入你想要的电压数值。

该项的下面的Current VCCIN Voltage是显示当前的VCCIN电压电压。

3-25、CPU Core Voltage Mode/ CPU Ring Voltage Mode/ CPU GT Voltage Mode (CPU核心电压模式/CPU缓存电压模式/CPU核显电压模式)
选择三种CPU电压的控制模式。

[Auto] BIOS自动配置这项设置,默认Auto。
[Adaptive Mode] 自适应模式。自动适应电压以优化系统性能。
[Override Mode] 覆盖模式。允许你手动设置这三个电压。

3-26、CPU Core Voltage/ CPU Ring Voltage/ CPU GT Voltage(CPU核心电压/CPU缓存电压/CPU核显电压)
设置三种CPU电压,默认是自动,如果保留在自动(Auto)就是让BIOS自动设置这三种电压。
当然也可以手动设置,设置方法就是直接输入电压值。


3-27、CPU Core Voltage Offset Mode/ CPU Ring Voltage Offset Mode/ CPU GT Voltage Offset Mode/ CPU SA Voltage Offset Mode/ CPU IO Analog Voltage Offset Mode/CPU IO Digital Voltage Offset Mode(CPU 核心电压补偿模式/ CPU 缓存电压补偿模式/ CPU 核显电压补偿模式/ CPU SA电压补偿模式/ CPU IO电压补偿模式/ CPU IO数字电压补偿模式)
选择CPU六种电压补偿模式。

[Auto] BIOS自动配置这项设置,默认Auto。
  • 允许你设置正补偿电压。
  • [-] 允许你设置负补偿电压。

    3-28、CPU Core Voltage Offset/ CPU Ring Voltage Offset/ CPU GT Voltage Offset/ CPU SA Voltage Offset/ CPU IO Analog Voltage Offset/ CPU IO Digital Voltage Offset(CPU 核心电压补偿/ CPU 缓存电压补偿/ CPU 核显电压补偿/ CPU SA电压补偿/ CPU IO电压补偿/ CPU IO数字电压补偿)
    设置CPU六种电压补偿值。默认是Auto,可以手动设置,直接输入补偿值,输入的数值超出安全值,显示红色数字。


3-29、Current CPU Core Voltage/ Current CPU Ring Voltage/ Current CPU GT Voltage/Current CPU SA Voltage/ Current CPU IO Digital Voltage(CPU当前核心电压/CPU当前缓存电压/CPU当前核显电压/CPU当前SA电压/CPU当前IO电压/CPU当前IO数字电压)
显示CPU当前的六种电压,只读。

3-30、Internal VR OVP OCP Protection
启用/禁止CPU内部VR(电压校准器)过电压保护(OVP)和过电流保护(OCP)。
[Auto] BIOS自动配置这项设置,默认Auto。
[Enabled]设置CPU内部VR(电压校准器)过电压保护(OVP)和过电流保护(OCP)的电压限值。
[Disabled]为了超频而关闭该功能。

3-31、Internal VR Efficiency Management(内部VR效能管理)
启用/禁止CPU内部VR(电压校准器)效能管理。
[Auto] BIOS自动配置这项设置,默认Auto。
[Enabled]为了节能而启用VR效能管理。
[Disabled] 关闭该功能。

3-32、DRAM Voltage(DRAM电压)
设置内存电压,默认是Auto。如果是默认的Auto,BIOS将自动设置内存电压。
如果你要手动设置,请直接输入电压数值。
该选项下边的Current DRAM Voltage显示当前的内存电压。

3-33、DDR_VREF_CA/ DDR_VREF_DQ_A/ DDR_VREF_DQ_B/(内存参考电压)
设置内存的三项参考电压。
如果保持默认的Auto,BIOS自动设置这些电压。如果你要手动设置,请直接输入电压数值。数值超过安全值,将显示红色数字。

3-34、PCH 1.05 Voltage(PCH南桥1.05电压)
设置PCH 1.05电压,可以直接输入电压数值。该选项下边的Current PCH 1.05 Voltage显示当前的PCH 1.05电压。

3-35、PCH1.5 Voltage(PCH南桥1.5电压)
设置PCH 1.5电压,可以直接输入电压数值。

3-36、CPU Memory Changed Detect(CPU 内存改变探测)
允许/禁止当CPU或内存更换后,系统提示警告信息。默认是允许。
[Enabled]系统在启动时发布警告信息,然后需要为新CPU或内存加载默认值。
[Disabled]关闭这项功能,保持当前BIOS设置。

3-37、Spread Spectrum(扩展频谱)
开启/关闭扩展频谱,默认是关闭的。该项功能是通过调制时钟发生器脉冲减少EMI(电磁干扰)。
[Enabled]启用扩展频谱功能减小EMI干扰。
[Disabled]关闭该功能增强CPU外频的超频能力。

提示:
如果你没有遇到EMI干扰,请关闭该功能,以便优化系统稳定和性能。如果遇到EMI干扰,请开启该功能。
调制扩展频谱可以扩展频谱值越高EMI衰减的越大,系统的稳定性也变差。关于适当的扩展频谱值,请咨询当地的EMI规则。
当你超频时建议关闭扩展频谱,因为微小的频谱波动都会引起CPU时钟的突变,导致CPU被锁死。

3-38、CPU Specifications(CPU规格)
按回车进入子菜单,显示你当前安装的CPU规格信息。你也可以随时按F4显示CPU规格信息。


3-38-1、CPU Technology Support(CPU技术支持)
按回车进入子菜单,显示当前CPU支持的技术信息。


3-39、MEMORY-Z(内存信息)
按回车进入子菜单,显示已安装内存条的DIMM。你也可以随时按F5显示内存信息。


3-39-1、DIMM1~4 Memory SPD(各内存条SPD信息)
按回车进入子菜单显示内存条的SPD信息,如果内存支持XMP,还有XMP信息。


3-39-2、XMP信息
按回车进入子菜单,显示内存条的XMP信息(需要内存条支持XMP)。


3-40、CPU Features(CPU特征)
按回车进入子菜单。


3-40-1、Hyper-Threading Technology(超线程技术)
处理器使用超线程技术可以加快处理速度减少终端用户响应时间。英特尔超线程技术对待多核处理器像多个逻辑处理器一样可以同时执行多条指令。因此系统性能会明显提升。
[Enable]启用英特尔超线程技术,默认是Enabled。
[Disabled]关闭超线程技术,如果CPU不支持超线程,该项目不显示。

3-40-2、Active Processor Cores(激活处理器核心)
这个项目允许你设定激活的处理器核心数目。默认是All(全部)。


3-40-3、Limit CPUID Maximum(CPU ID最大限制)
启用/关闭扩展CPU ID值,默认是关闭。
[Enabled]BIOS将限定最大CPUID输入值,以避免不支持带扩展CPUID值的处理器的启动问题
[Disabled]使用实际的最大CPUID输入值。

3-40-4、Execute Disable Bit(执行禁止位)
英特尔的执行禁止位与操作系统相配合,可以防范大部分针对缓冲区溢出(buffer overrun)漏洞的攻击,这种攻击是蠕虫病毒在缓冲区溢出执行代码破坏系统。
因此建议要保持这个选项总是在Enabled。
[Enabled]允许非执行保护,防止恶意`软件和蠕虫病毒攻击。
[Disabled]关闭该项功能。

3-40-5、Intel Virtualization Tech(英特尔虚拟技术)
开启/关闭英特尔虚拟技术,默认是开启。
[Enabled]开启英特尔虚拟技术,允许一个平台在一个独立分区运行多个操作系统。该系统就像虚拟的多系统一样。
[Disabled]关闭该项功能。

3-40-6、Intel VT-D Tech(英特尔虚拟IO技术)
开启/关闭英特尔虚拟技术,默认是关闭。注意,当CPU支持VT-D的时候,该选项才出现并且是可选的。
VT-D技术就是I/O 虚拟分配技术。英特尔 VT-d 是英特尔虚拟化技术硬件架构的最新成员。VT-D能够改进应用的兼容性和可靠性,并提供更高水平的可管理性、安全性、隔离性和 I/O 性能,从而帮助 VMM 更好地利用硬件。通过使用构建在英特尔芯片组内部的 VT-d 硬件辅助,VMM 能够获得更出色的性能、可用性、可靠性、安全性和可信度。
[Enabled]开启英特尔虚拟IO技术。
[Disabled]关闭该项功能。

3-40-7、Hardware Prefetcher(硬件预选取)
开启/关闭CPU硬件预选取(内存至L2高速缓存流预选取),默认是Enabled。
[Enabled]开启硬件预选取,以便于自动地从主内存预选取数据和指令到L2缓存,预选取可以提高CPU的性能。
[Disabled]关闭硬件预选取。

3-40-8、Adjacent Cache Line Prefetch(调整缓存线预选取)
开启/关闭CPU硬件预选取(内存至L2高速缓存空间预选取),默认是Enabled。
[Enabled]开启调节高速缓存线预选取,以便于减少缓存延迟和提升空间应用的性能。
[Disabled]仅开启需要的缓存线,

3-40-9、CPU AES Instructions(CPU AES指令)
开启/关闭CPU AES(高级加密标准新指令)支持,默认是Enabled。当CPU支持这种功能的时候才显示。
[Enabled]开启Intel AES支持。
[Disabled]关闭Intel AES支持。

3-40-10、Intel Adaptive Thermal Monitor(英特尔适应热监视)
开启/关闭I英特尔适应热监视功能,防止CPU过热,默认是Enabled。
[Enabled]当CPU超过适应温度的时候降低CPU核心时钟速度。
[Disabled]关闭该项功能。

3-40-11、Intel C-State(英特尔C-状态)
C-状态是ACPI定义的一种处理器功率管理技术。
[Auto]由BIOS自动配置,默认设置是Auto。
[Enabled]探测系统空闲状态并减少CPU功耗。
[Disabled]关闭该功能。

3-40-12、C1E Support(C1E支持)
开启/关闭在halt状态节能的C1E功能,当“Intel C-State”开启时,这个选项才显示。
[Enabled]开启C1E功能,以便在暂停状态降低CPU频率和电压节能。
[Disabled]关闭该项功能。

3-40-13、Package C State limit (封装C状态限制)
这个选项允许你在系统空闲时选择CPU C-状态节能模式。当“Intel C-状态”开启时该项才显示。

[Auto]由BIOS自动配置。
[C0~C7s]节能等级,从高到低的排列是C7s, C7, C6, C3, C2, 最后是C0。
[No limit]CPU不受c-state限制。

3-40-14、Lake Tiny特性
开启/关闭英特尔Lake Tiny技术,该技术用于SSD的iRST。这个选项当“Intel C-State”开启时才显示。
[Enabled]增强动态IO加载调节性能,使SSD加速。
[Disabled]关闭该项功能,默认是Disabled。
注:下列项目当“Intel Turbo Boost”开启才显示。

3-40-15、Long Duration Power Limit (W)(长周期功率限制(瓦))
设置在Turbo Boost模式下的长周期TDP功耗限制。默认是Auto,设置时可以直接输入功率数值。

3-40-16、Long Duration Maintained (s)(长周期维持(秒))
设置长周期功率限制维持时间,默认是Auto,设置时敲回车,从弹出的菜单选择。


3-40-17、Short Duration Power Limit(W)(短周期功率限制(瓦))
设置在Turbo Boost模式下的长周期TDP功耗限制。默认是Auto,设置时可以直接输入功率数值。

3-40-18、CPU Current limit(A)(CPU电流限制(安))设置在Turbo Boost 模式下CPU封装的最大电流限制。当电流超过规定的限制值时,CPU将自动降低核心频率以便减少电流。默认是自动,设置时直接输入限制电流数值。

3-37-19、1/2/3/4-Core Ratio Limit(1/2/3/4-核心倍频限制)
这些项目允许你设置激活的核心在Turbo Boost模式下的CPU倍频限制。默认Auto,设置时直接输入倍频。
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gogochen

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Re: 21--微星Z87-MPOWER主板BIOS设置解说(二) <2013-10-19>
« 回复 #3 于: 八月 16, 2014, 10:56:39 上午 »

四、M-FLASH
 
重要提示:
M-Flash功能允许你用U盘(只支持FAT32/ NTFS格式)更新BIOS,或者从U盘的BIOS启动系统(只支持FAT32/ NTFS格式)。
 
4-1、BIOS Boot Function(BIOS开机功能)
开启/关闭系统从带BIOS文件的U盘启动,默认是禁止。
[Enabled]允许系统从带BIOS文件的U盘启动,开启这项功能后,下面的Select one file to Boot变为可选的。
[Disabled]关闭从U盘BIOS启动,开启从主板BIOS启动。
*从U盘BIOS启动可能引起系统不稳定,MSI建议U盘BIOS启动仅适合技术高手用户。

4-1-1、Select one file to boot(选择一个文件启动)
回车弹出U盘,再回车弹出U盘里面可以启动的BIOS文件名。
在U盘(NTFS/ FAT 32格式)里面选择一个BIOS文件用于启动。
注意目前用于启动的BIOS只能是用M-Flash保存的BIOS。

4-2、Save current UEFI ROM to File(保存当前UEFI ROM到文件)
保存当前BIOS到U盘(FAT32格式),回车弹出输入文件名,用微星主板默认的BIOS文件名就可以。
确认后可以看到保存进度。

4-3、Update BIOS
更新BIOS选项有子菜单,回车进入,还有2个字菜单选项,一个是选择一个BIOS文件更新BIOS,一个是选择一个BIOS文件更新BIOS和ME。

4-3-1、Select one UEFI file to update BIOS(选择一个UEFI文件用于更新)
选择U盘(NTFS/ FAT 32格式)里面的一个UEFI BIOS文件用于更新。更新后系统将重新启动。

4-3-2、Select one file to update BIOS and ME(选择一个文件用于更新BIOS和ME)
选择U盘(NTFS/ FAT 32格式)里面的一个BIOS文件,更新BIOS和ME。先更新BIOS,再重启更新ME,注意不要拔掉U盘。

ME是Intel Management Engine 即Intel管理引擎,是一个用于管理Intel芯片组各种周边功能的一个接口,通过该接口能实现电源管理及如Intel AMT(Active Management Technology)主动管理技术等高级功能。
更新BIOS和ME,就是不仅更新BIOS,还要更新Intel管理引擎。

五、OC PROFILE(超频预置文件)



6个超频预置文档设置和保存到U盘、从U盘加载等七项设置。


5-1、Overclocking Profile 1/ 2/ 3/ 4/ 5/ 6(超频预置文档1/ 2/ 3/ 4/ 5/ 6)

设置六个超频预置文档,在每个超频设定档按回车进入子菜单。

5-1-1、Set Name for Overclocking Profile 1/ 2/ 3/ 4/ 5/ 6(设定超频配置文件1的档名)


以超频设定档1为例,按回车弹出Names the current overclocking profile,即输入文档名菜单,输入文档名即可,例如OCC1。


5-1-2、Save Overclocking Profile 1/ 2/ 3/ 4/ 5/ 6(保存超频预置文档1/ 2/ 3/ 4/ 5/ 6)
起完名字,就可以保存了。

以超频设定档1(OCC1)为例,在Save Overclocking Profile 1回车,弹出对话框“Saves the current overclocking profile 1(保存当前设置为超频预置文件1)”,如果确认要保存,点击“是”。


保存后,显示文档的信息:设定名称,BIOS版本,BIOS日期,建档时间。


5-1-3、Load Overclocking Profile 1/ 2/ 3/ 4/ 5/ 6(加载超频预置文档1/ 2/ 3/ 4/ 5/ 6)
保存的预置超频文档,可以随时加载调用。


5-1-4、Clear Overclocking Profile 1/ 2/ 3/ 4/ 5/ 6(清除超频预置文件1/ 2/ 3/ 4/ 5/ 6)
设定的超频文档可以随时删除。


5-2、OC Profile Save to USB(保存超频预置文件到U盘)
保存超频预置文件到U盘(FAT32格式),其实就是把当前的BIOS保存到U盘。回车弹出检测到的U盘。


再回车提示输入文件名。


确认后提示保存成功。


5-3、OC Profile Load from USB(从U盘加载超频预置文件)
从U盘加载超频预置文件(FAT32格式),回车弹出检测到的U盘。


再回车弹出保存在U盘的预置超频BIOS文件名,请你选择。


选择后,显示该BIOS的主要设置。


确认后,提示加载成功。


六、HARDWARE MONITOR(硬件监视器)



回车进入硬件监视器页面。


6-1、当前CPU温度和风扇转速信息
显示当前CPU温度,系统温度和风扇转速。
图形显示温度和转速
红色曲线是在“Fan control field”设置的最低和最高温度。黄色曲线表示当前CPU/系统温度,绿色曲线表示当前CPU/系统风扇转速。

6-2、Fan control field(风扇控制区)
这是主板提供的风扇转速控制特性,叫做“智能风扇控制”。
智能风扇控制依据当前CPU/系统温度自动控制风扇转速并保持在规定的转速。当CPU/系统温度超过最高温度,CPU/系统风扇就提升到最快转速。当CPU/系统温度低于最低温度,CPU/系统风扇就降到最慢转速。在这个区你可以设置CPU和系统风扇转速,以及目标温度。

目标温度和风扇转速设置说明如下:

a – 选择一个你想设置智能调速的风扇。
b – 选中这个“目标温度验”校验框,以便改动默认值。
c – 滑动“Min”和“Max”滑块,设定最低和最高温度。
d – 滑动箭头图标设置风扇最低转速百分比。
e – 滑动箭头图标设置风扇最高转速百分比。
f – 敲“Default(默认)”按钮恢复默认值。敲“Cancel”按钮撤销设置恢复先前的设置。
提示:
最低温度和转速不能大于最高值。

6-3、Voltage display(电压显示)
显示当前CPU、系统、内存电压。


七、BOARD EXPLORER(主板浏览)


回车进入主板浏览器

光标移动到主板相应位置,显示该部分的信息。


显示背面板


显示CPU信息

« 最后编辑时间: 八月 16, 2014, 10:59:07 上午 作者 gogochen »
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