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作者 主题: 04--微星INTEL P55主板BIOS详解三 <2010-5-6>  (阅读 2023 次)

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gogochen

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04--微星INTEL P55主板BIOS详解三 <2010-5-6>
« 于: 八月 11, 2014, 03:34:32 上午 »

微星INTEL P55主板BIOS详解三

八、Cell Menu  核心菜单 续一

(二)、内存相关部分



1、MEMORY-Z  内存条SPD信息
这是查看内存条SPD信息的,有助于了解内存条SPD参数。这个选项是二级菜单,回车进入:


插了2条内存,显示出了DIMM1和DIMM3,如果插4条内存,就会显示出4条内存。这也是二级菜单,敲回车进入SPD信息列表:

 
由于安装的内存是芝奇 F3-12800CL7D-4GBRM(2GBx2),支持XMP,SPD里面有XMP,所以还有XMP信息,敲回车查看XMP信息:

 
2、Current DRAM Channel 1/2 Timing  当前内存时序

这里显示的是内存条默认的时序参数。

3、DRAM Timing Mode  DRAM时序模式

这里是设置内存的时序参数。
DRAM时序设置模式有Auto和Manual,Auto就是由系统自动按SPD参数设置。Manual就是用户自己设置。
当选择了Manual后,这个选项下面的Advance DRAM Configuration(高级DRAM配置)就由灰色变亮,成为可设置的。

3-1、Advance DRAM Configuration  高级DRAM配置


回车进入内存时序配置,时序配置以“通道”为基础设置,也就是说2个通道分别设置。下面以通道1(CH1)为例对各项时序参数做简要说明。


1T/2T Memory Timing:1T/2T内存时序。这个选项也叫做“命令速度”,就是内存控制器开始发送命令到命令被送到内存芯片的延迟。1T当然比2T快。但是要依据内存条的性能。性能低的设置1T后肯定要蓝屏死机。一般保持Auto设置即可,让BIOS自己去设置。参数范围1-2。

CAS Latency(CL):CAS(列地址选通)潜伏时间,指的是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址,或者说是内存矩阵中的列地址,所以它是最为重要的参数,在稳定的前提下应该尽可能设低。

内存是根据行和列寻址的,当请求触发后,最初是tRAS(Activeto Precharge Delay),预充电后,内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后,RAS(Row Address Strobe )开始进行需要数据的寻址。首先是行地址,然后初始化tRCD,周期结束,接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤,也是内存参数中最重要的。

这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小,则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟,可能会丢失数据,因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时,如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率,所以需要对内存超频时,应该试着提高CAS延迟。

该参数对内存性能的影响最大, 是JEDEC规范中排在第一的参数,CAS值越低,内存读写操作越快,但稳定性下降,相反数值越高,读写速度降低,稳定性越高。参数范围3-11。

tRCD(RAS to CAS Delay):行地址到列地址的延迟时间,数值越小,性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时,需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。JEDEC规范中,它是排在第二的参数,降低此延时,可以提高系统性能,如果该值设置太低,同样会导致系统不稳定。参数范围3-10。

tRP(Row precharge Delay):内存行地址选通脉冲预充电时间。也叫做“内存行地址控制器预充电时间”,预充电参数越小则内存读写速度就越快。tRP用来设定在另一行能被激活之前,RAS需要的充电时间。tRP参数大会导致所有的行激活延迟过长,参数小可以减少预充电时间,从而更快地激活下一行。
但是该参数的大小取决于内存颗粒的体质,参数小将获取最高的性能,但可能会造成行激活之前的数据丢失,内存控制器不能顺利地完成读写操作,从而导致系统不稳定。参数值大将提高系统的稳定。参数范围3-10。

tRAS(Row active Delay):内存行地址选通延迟。即“内存行有效至预充电的最短周期”,调整这个参数要根据实际情况而定,并不是说越大或越小就越好。如果tRAS的周期太长,系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期,则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短,则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输,这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。为提高系统性能,应尽可能降低tRAS的值,但如果发生内存错误或系统死机,则应该增大tRAS的值。参数范围5-20。

tRFC(Refresh Cycle Time):刷新周期时间,表示“SDRAM行刷新周期时间”,它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即:REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好,它比tRC的值要稍高一些。参数范围30-110。

tWR(Write Recovery Time):写恢复延时。该值指的是在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前,必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前,写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的,过低的tWD虽然提高了系统性能,但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中,就发生了预充电操作,会导致数据的丢失及损坏。参数范围1-15。

tWTR(Write to Read Delay):写到读延时。这个参数设定向DDR内存模块的同一个单元中,在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。tWTR值偏高,降低了读性能,但提高了系统稳定性。偏低则提高读写性能,但系统会不稳定。参数范围1-15。

tRRD(Row to Row Delay):行到行延迟。也称为RAS to RAS delay ,表示“行单元到行单元的延时”。该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令(即:REF指令)之间的时间间隔。tRRD值越小越好。延迟越低,表示下一个bank能更快地被激活,进行读写操作。然而,由于需要一定量的数据,太短的延迟会引起连续数据膨胀。如果出现系统不稳定的情况,需将此值设定较高的时钟参数。参数范围1-7。

tRTP(DRAM READ to PRE Time):内部读取到预充电命令时间,这个参数实际上就是读命令和预充电明令之间的时间间隔。如果参数值过小,系统运行很快,但不稳定。参数范围3-15。

tFAW(DRAM FOUR ACT WIN Time):内存四项动作成功时间。该选项通常设置为Auto即可,对性能以及稳定性影响不大。参数范围22-37。

B2B-CAS Delay(DRAM Back-To-Back CAS Delay):内存背靠背CAS延迟。这个参数控制着DCLKS(数据时钟周期)内CAS和CAS之间的延迟。该数值越小内存性能越好,但也会有不稳定的风险。参数范围0-18。

上面时序参数的设置与内存条的体质、结构密切相关。具体参数设置可以参考JEDCE标准提供的参数表。


这是BIOS依据内存条SPD列出的参数值。


3-2、Channel 1 Advance Timing  通道1高级时序

这项设置有Auto、Manual。

选择Manual后,又会出现一系列内存参数设置:


下面对各项高级时序参数做简要说明。
tdrRdTRd:在同一条内存条上读不同的行之间的最小延迟。参数值大小取决于内存体质,设置较小,系统速度加快,但会不稳定。
tddRdTRd:读不同内存条之间的最小延迟。参数值大小取决于内存体质,设置较小,系统速度加快,但会不稳定。
tsrRdTWr:写入一行后,跟着读取这行的最小延迟。参数值大小取决于内存体质,设置较小,系统速度加快,但会不稳定。
tdrRdTWr:在同一内存条上写入一行后,读取其他行的最小延迟。参数值大小取决于内存体质,设置较小,系统速度加快,但会不稳定。
tddRdTWr:写入一条内存条后,跟着读取其他内存条的最小延迟。参数值大小取决于内存体质,设置较小,系统速度加快,但会不稳定。
tsrWrTRd:读取一行后,跟着再写入这一行的最小延迟。参数值大小取决于内存体质,设置较小,系统速度加快,但会不稳定。
tdrWrTRd:在同一内存条上读取一行后,跟着写入其他行的最小延迟。参数值大小取决于内存体质,设置较小,系统速度加快,但会不稳定。
tddWrTRd:读取一条内存条后,跟着写入其他内存条的最小延迟。参数值大小取决于内存体质,设置较小,系统速度加快,但会不稳定。
tdrWrTWr:写入同一内存条不同行之间的最小延迟。参数值大小取决于内存体质,设置较小,系统速度加快,但会不稳定。
tddWrTWr:写入不同内存条之间的最小延迟。参数值大小取决于内存体质,设置较小,系统速度加快,但会不稳定。
tsrRdTRd:读取同一行数据之间的最小延迟。参数值大小取决于内存体质,设置较小,系统速度加快,但会不稳定。
tsrWrTWr:写入同一行数据之间的最小延迟。参数值大小取决于内存体质,设置较小,系统速度加快,但会不稳定。
Round Trip Latency:在一个UCLK(NB Clock)内往返读取若干单元之间的最小延迟。

4、X.M.P设置

当安装了支持XMP的内存时,Cell Menu会出现XMP的设置项。

4-1、Extreme Memory Profile(X.M.P) 高速内存预设文件
这一项的设置有Disabled(关闭),Enabled(开启),默认是Disabled。设置为Enabled后Extreme Memory Profile Mode由灰色变亮,成为可以设置的。

4-2、Extreme Memory Profile Mode  XMP模式

XMP模式设置有Auto(自动)和Advance(高级),默认是Auto。

Auto就是利用XMP的Pro文件设置。这样Memory Ratio和QPI Ratio都是灰色不可调的。Advance就是用户可以自己设置,设置为Advance后,下面的Memory Ratio和QPI Ratio由灰色变亮,成为可调的。

用户可以自己设置Memory和QPI的倍率了。

4-2-1、Memory Ratio  内存倍率

内存倍率的设置项取决于CPU,这里的Auto,3,4,5是I5 750处理器的,如果是I5 860处理器,还多一个倍率6。

4-2-2 QPI Ratio  QPI倍率


QPI倍率有Auto,16,18。

小知识:XMP和1600内存简介

在JEDEC没有定义DDR3 1600内存标准时,Intel制定的1600内存SPD标准。XMP其实就是预设内存参数文件,保存在内存条的SPD模块中,BIOS开启XMP后,就依据XMP设置CPU外频或者内存倍率,使内存速度达到1600MHz。

当JEDEC已经定义了DDR3 1600内存标准后,XMP已经失去意义,Intel也撤销了XMP标准。但是有些内存厂商继续推出支持XMP的内存,并且成为高端内存条的一种象征。
其实,说穿了,X58和P55的XMP内存就是把CPU的外频超频到160MHz。当内存与CPU外频倍率为5时,160MHz x 5 =800MHz(对于DDR来说就是1600MHz)。

Intel的I7/I5处理器的内存倍率依据CPU的档次而不同,高档的处理器,比如I5 860是6倍,中低档的倍率是5。
如果用户使用I5 860处理器,有6倍率,CPU的外频在133就可以支持1600内存,把DRAM Ratio设置为6就可以了。当然需要安装符合JEDEC标准的1600内存条,或者可以超频到1600的内存条。
如果用户使用I5 750处理器,配1600的内存,可以自己手动设置CPU外频为160,内存倍率=5,使内存频率达到1600。
上述2种设置完全可以不开启XMP。

5、Memory Ratio  内存倍率

常规BIOS设置时,Memory Ratio也是可以设置的。这里的内存倍率设置选项多了6倍率,因为安装的CPU是I5 870,支持6倍率。使用这种处理器,完全可以关闭XMP,直接设置内存倍率为6,内存频率就可以达到1600MHz。

6、QPI Ratio  QPI倍率

常规BIOS设置时,QPI Ratio也是可以设置的。设置选项有Auto,16,18。
« 最后编辑时间: 十一月 17, 2014, 05:12:42 下午 作者 Superman »
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gogochen

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Re: 04--微星INTEL P55主板BIOS详解三 <2010-5-6>
« 回复 #1 于: 八月 11, 2014, 03:40:33 上午 »

(三)、PCI频率相关部分



1、ClockGen Tuner  时钟发生器调谐
时钟发生器调谐就是设置CPU和PCI-E的时钟信号驱动强度。这个选项有2级菜单,进入二级菜单可以看到2项设置。

1-1、CPU Amplitude Control  CPU时钟信号幅度控制

这项设置的选项有700/800/900/1000mV。幅度较高,有利于CPU的BCLK稳定超频,但也有增加干扰的可能。

1-2、PCI-E Amplitude Control  PCI-E时钟信号幅度控制

这项设置的选项有700/800/900/1000mV。幅度较高,有利于PCI-E总线的稳定,但也有增加干扰的可能。

2、Adjust PCI-E Frequency (MHz)  调整PCI-E频率

这是调整PCI-E的频率,设置值是90-190MHz。

3、Auto Disabled PCI Frequency  自动关闭PCI 频率

这项设置是当PCI槽没有插设备时,自动关闭PCI槽的时钟信号。设置项有Enabled(开启),Disabled(关闭),默认是Enabled。
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gogochen

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Re: 04--微星INTEL P55主板BIOS详解三 <2010-5-6>
« 回复 #2 于: 八月 11, 2014, 03:45:44 上午 »

(四)、电压相关部分



1、VDroop Control  掉电压控制

这是控制CPU核心电压降的选项,设置项有Low VDroop(低电压降),High VDroop(高电压降),默认是High VDroop。

掉电压本来是Intel保护CPU的正常措施,但是有些超频用户对此提出疑问。微星在这里给出低电压降的措施。
High VDroop(高电压降)就是遵循Intel的CPU规格,掉电压幅度较高。
Low VDroop(低电压降)就是微星提供的减少掉电压幅度的措施。

2、CPU电压调整


CPU Voltage(V): 这个电压是CPU核心电压,也叫VCC电压。默认Auto是1.28125V,最小0.87000V,最大0.207000V。
CPU VTT(V):这个电压是CPU L3 共享缓存,内存控制器,和处理器I/O供电电压。默认Auto是1.097V,最小是0.451V,最大是2.010V。
CPU PLL Voltage(V):这个电压是CPU时钟发生器电压。默认Auto是1.800V,最小是1.000V,最大是2.400V。

这三个电压都是通过CPU插座提供给CPU。下图是CPU插座的这三个电压供电针(部分)。

这三个电压是CPU超频经常设置的。适当提高这三个电压可以增强CPU的超频能力和稳定。
根据一些超频DIY的经验,P55的电压调节技巧与X58不太一样,CPU核心电压只需要保证在1.3V左右就可达到较高外频,超频成功与否的重点在于增加CPU VTT电压,英特尔给出的CPU VTT电压大约在1.2V左右可保持最佳状态,但实际测试中需要将CPU VTT电压增加到1.5V才能保证最好的超频效果。当然,如果CPU VTT超过1.5V,则会起到反效果。
如果`超频后不很稳定,也可以适当提高CPU时钟发生器电压。一般不建议修改。

3、内存电压调整


DRAM Voltage(V):这是内存供电电压。默认Auto是1.5000V,最小是0.906V,最大是2.405V。
DDR_VREF_CA_A(V):这是A通道DRAM 控制参考电压。默认Auto是0.750V,最小是0.450V,最大是1.150V。
DDR_VREF_CA_B(V):这是B通道DRAM 控制参考电压。默认Auto是0.750V,最小是0.450V,最大是1.150V。
DDR_VREF_DA_A(V):这是A通道DRAM DATA参考电压。默认Auto是0.750V,最小是0.450V,最大是1.150V。
DDR_VREF_DA_B(V):这是B通道DRAM DATA参考电压。默认Auto是0.750V,最小是0.450V,最大是1.150V。

DDR内存的供电一般需要三个供电电压:VDDQ(VDD)、VREFDQ和VREFCA。这里的VDDQ(VDD)就是上面的DRAM Voltage,VREFDQ就是上面的DRAM DATA参考电压(DDR_VREF_DA),VREFCA是DRAM 控制参考电压(DDR_VREF_CA)。这2个参考电压必须跟踪VDDQ电压,必须控制在1/2 VDDQ的范围内。当VREFDQ和VREFCA的跟踪失效时,由于‘High ’和‘ Low ’的周期不同, 信号的目标特性将会恶化,从而引起定时漂移,当然就会出现读写数据错误。

当内存超频要提升内存电压时,也需要同时适当提升VREF电压。如果内存不稳定,或出现所谓兼容性问题时,也可以调整VREF电压解决。

4、南桥电压调整

 
PCH 1.05(V):这一项是调整PCH(南桥)的电压。Auto是1.050V,最小是0.451V,最大是1.953V。

附注:
上述电压调整,用户可以参考屏幕提示直接键入比较接近的电压值。也可以通过-/+键调整。
电压值用颜色标示危险程度。灰色是默认值,白色是安全值,红色是危险值。

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gogochen

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Re: 04--微星INTEL P55主板BIOS详解三 <2010-5-6>
« 回复 #3 于: 八月 11, 2014, 03:48:54 上午 »

九、M-Flash  U盘刷新BIOS


 
这是微星独特的BIOS备份、启动、更新技术。
1、Backup BIOS to USB Drive
备份主板当前BIOS到U盘。
2、BIOS Update or Boot 2nd BIOS From USB Drive
从U盘更新BIOS或从U盘BIOS启动,设置项有Disabled(禁用),BIOS Update(BIOS更新),Boot(U盘BIOS启动)。

十、Over Clocking Profile   超频预置文件
 


这是保存超频设置文件的。用户可以把超频的BIOS设置保存成Profile,以后可以直接用这个设置启动,不需再次设置。

其他设置项:


 
十一、Load Fail-Safe Defaults   加载安全缺省值
这是加载安全值,当如果设置BIOS设置得比较混乱,可以用此项加载默认的安全值。

十二、Load Optimized Defaults  加载优化值
这是加载默认的优化值,一般在跳线清CMOS后,可以通过此项加载优化值,然后再做各项设置。

十三、Save & Exit Setup   保存设置并退出
这是保存设置并推出BIOS设置。

十四、Exit Without Saving   退出而不保存
这是不保存新作的设置,退出BIOS设置。

全文完
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