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作者 主题: 01--微星AMD 785G主板的BIOS设置详解一 <2009-10-30>  (阅读 3060 次)

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gogochen

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01--微星AMD 785G主板的BIOS设置详解一 <2009-10-30>
« 于: 八月 10, 2014, 07:11:40 下午 »

微星AMD 785G主板的BIOS设置详解一

dong-bei 发表于2009-10-30

本设置讲解,以785GTM-E65为蓝本,其他AMD主板也可参考。

不同型号AMD主板只是BIOS设置项目有多有少,只要是有的项目,设置方式和内容基本相同。

一、BIOS主菜单



1、Standard CMOS Features   标准CMOS属性
2、Advanced BIOS Features   高级BIOS 属性
3、Integrated Peripherals     整合周边设备
4、Power Management       电源管理
5、H/W Monitor            硬件监测
6、Green Power             绿色节能
7、BIOS Setting Password     开机密码设置
8、Cell Menu               核心菜单
9、M-Flash                U盘刷新BIOS
10、User Settings           用户设置项
11、Load Fail-Safe Defaults   加载安全缺省值
12、Load Optimized Defaults  加载优化值
13、Save & Exit Setup       保存设置并退出
14、Exit Without Saving     退出而不保存

 
二、Cell Menu 核心菜单设置



1、CPU相关设置
CPU相关设置有9项

 
1-1、CPU Specifications:这是查看CPU的规格和参数,也可以随时按F4查看。

 

 
1-2、AND Cool  `n` Quiet:
AMD CPU的节能技术,也叫“凉又静”。依据CPU负载改变CPU的倍频和电压。当CPU空闲时,核心电压降到最低,倍频也降到最低。如果主板有微星的APS功能,请开启这个选项。该选项的设置是Enabled和Disabled。

1-3、Adjust CPU FSB Frequency (MHz):
调整CPU的前端总线频率。默认的频率是CPU的标准FSB频率,用户可以自己调整,就是超频。在这里直接键入频率数值,比如220。

1-4、Adjust CPU Ratio:
调整CPU的倍频。AMD的CPU一般是锁定最高倍频的,只能降低倍频。有个别不锁倍频的CPU才可以调整到更高的倍频。该项的默认设置是Auto。敲回车,弹出倍频列表,用户可以从中选择希望的倍频。

 
1-5、Adjust CPU-NB Ratio:
调整CPU内北桥(内存控制器)的倍率。AMD CPU整合了内存控制器,这个选项可以调整内存控制器的倍率。调整这个倍率要与内存频率设置相互配合,一般需要多次调整,才能达到最佳效果,如果设置不正确,可能引起蓝屏死机。

 
1-6、EC Firmware:EC固件设置:
这是AMD SB710芯片组新开的一个设置项,用于开启被AMD关闭核心(有部分是不能正常运作的)。这项的默认设置是Normal。敲回车,弹出选项菜单供用户选择。

Normal是普通模式,就是不开启关闭的核心。Special是特殊模式,开启被关闭的核心。注意这个选项要配合下面的Advanced Clock Calibration设置。

1-7、Advanced Clock Calibration:
高级时钟校准。这是SB750开始有的有的功能。用于校准CPU的时钟频率,同时支持AMD的CPU超频软件AMD Over Drive。SB710继承了这项功能,还可以配合EC

Firmware开启关闭的核心。默认设置是Disabled。敲回车弹出选项菜单:


Auto是自动模式。想开启关闭的核心,请设置为Auto。

All Cores是对所有核心都进行相同的高级时钟校准。选择了All Core后,菜单会多出一个选项。


就是要求选择校准的百分比。在Value上敲回车会弹出百分比选择菜单。

 
Per Core可以对每个核心单独设置时钟校准百分比。选择Per Core后,菜单会多出一个选项:

 
也是要求选择校准的百分比。在每一个Value敲回车都会弹出百分比选择菜单。

请注意,Value的个数与CPU的核心数相匹配,比如2核的就有2个Value选项。

1-8、Auto Over Clock Technology:
微星独有的一种自动超频技术,默认是Disabled,可以设置为Max FSB。就是系统自动侦测CPU可能超频的最大FSB值。设置该项后,系统可能重复启动多次,最后找到最大FSB启动。由于FSB涉及内存的频率,可能会因为内存缘故而出现在最大FSB情况下,不能进系统,或者蓝屏死机。

 
1-9、Multistep OC Booster:
这是微星独有的超频辅助技术,当CPU因超频较高,不能启动时,可以利用这个选项。它的作用是先以较低的频率启动进系统,然后再恢复原来频率。

该选项默认是Disabled,有Mode1和Mode2选项。Mode1是以低于原频率90%的频率启动。Mode2是以低于原频率80%的频率启动。

2、内存相关设置

内存设置有3项:


2-1、MEMORY-Z:
这是查看内存的SPD参数。也可以随时按F5查看

 
插2条内存,弹出2条内存的SPD信息,如果插4条,就会有4条SPD信息。回车就可以查看1条内存的SPD:


2-2、Advance DRAM Configuration:
高级DRAM配置。就是用户自己配置内存时序参数。回车进入高级DRAM配置:

 
2-2-1、DRAM Timing Mode:
DRAM时序模式。有4项设置:Auto、DCT0、DCT1、Both。

 
Auto就是按内存条的SPD设置内存时序参数。DCT0是设置通道A,DCT1是设置通道B,Both是设置2个通道。默认设置是Auto。
这是DCT0的时序参数设置:

内存时序参数最主要的有4个。CL-tRCD-tRP-tRAS,这4个参数也是在内存条上常常看到的,比如8-8-8-24,就是这4个参数。

附注:内存时序参数知识
1、内存芯片内部的存储单元是矩阵排列的,所以用行(Row)地址和列(Column)地址标识一个内存单元。
2、内存寻址就是通过行地址和列地址寻找内存的一个存储单元。系统发出的地址编码需要经过地址译码器译出行地址和列地址,才可以对内存读写。
3、内存芯片是易失性存储器,必须经常对内存的每个存储单元充电,才可以保持存储的数据。读写前要先对选定的存储单元预充电(Pre charge)。
4、对内存的存储单元读写前要先发出激活(Active)命令,然后才是读写命令。
5、CL就是CAS Latency,CAS(列地址选通)潜伏时间,实际上也是延迟。指的是CPU发出读命令到获得内存输出数据的时间间隔。
6、tRCD是RAS-to-CAS Delay,行地址选通到列地址选通的延迟。一般是指发出激活命令和读写命令之间的时间间隔。在这段时间内经过充电,数据信号足够强。
7、tRP是Row-Pre charge Delay,行预充电延迟。一般是指发出预充电命令和激活命令之间的时间间隔。在这段时间内对激活的行充电。
8、tRAS是Row-active Delay,行激活延迟。一般是指行激活命令和发出预充电命令之间的时间间隔。
9、上述潜伏和延迟时间可以用绝对时间值ns,也可用相对时间—周期。一般多用周期表达。周期数越小,内存的速度越高。选购内存,不仅要看标注的频率,还要看标注的时序参数。内存时序参数标准由JEDEC制定。
« 最后编辑时间: 八月 10, 2014, 08:22:41 下午 作者 gogochen »
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Re: 01--微星AMD 785G主板的BIOS设置详解 <2009-10-30>
« 回复 #1 于: 八月 10, 2014, 07:12:42 下午 »

续上一

下面列出DDR3的时序参数规格,供参考。

标准的时序参数有7-7-7/8-8-8/9-9-9三种,其中7-7-7的最好。还有非标准的7-8-8/8-9-9的,这种时序参数的内存条,上标称频率就会死机蓝屏。降一级频率就没有问题。

2-2-2、DRAM Drive Strength:DRAM驱动强度。

 
该选项有4个参数,Auto是BIOS自动依据内存设置。其他是用户自己设置,DCT0是设置通道A,DCT1是设置通道B,Both是设置2个通道。设置为DCT0/1或Both时,会增加设置项目,下面看看用户自己手动设置的项目:

 
每个通道的信号驱动强度设置包括8项。
CKE Drive Strength:时钟允许(Clock enable)信号驱动强度
CS/ODT Drive Strength:片选/内建终端电阻驱动强度
Addr/Cmd Drive Strength:地址/命令驱动强度
Clock Drive Strength:时钟信号驱动强度
Data Drive Strength:数据信号驱动强度
DQS Drive Strebgth:数据请求信号驱动强度
ProcOdt:CPU内建终端电阻
驱动强度的设置就是用户设置内存信号的强度,一般以默认为1,设置选项是默认的倍率:


2-2-3、DRAM Advance Control:DRAM高级控制。

 
该选项有4个参数,Auto是BIOS自动依据内存设置。其他是用户自己设置,DCT0是设置通道A,DCT1是设置通道B,Both是设置2个通道。设置为DCT0/1或Both时,会增加设置项目,下面看看用户自己手动设置的项目:

 
每个通道的高级控制有6项。
DRAM Termination:内存芯片的片内终端电阻。
从DDR2开始内存防止信号干扰的终端电阻放在芯片内。DDR3也是这样。这项是设置终端电阻的参数,设置参数有Auto、Disabled、75 ohms、150  ohms、50 ohms。默认是Auto。

DRAM Drive Weak:减弱DRAM驱动强度。
设置参数有Auto、Normal、Reduced。Auto是让BIOS依据内存条自动设置。Normal是默认强度,Reduced是减弱驱动强度。

DRAM Parity Enable:允许DRAM 奇偶校验。
奇偶校验是对内存读写是防止数据错误的一种方法。但允许奇偶校验会影响内存读写速度。设置参数有Auto、Enabled、Disabled。默认设置是Auto。

DRAM Self Refresh Rate Enable:允许DRAM自刷新速率。
DRAM刷新就是充电,通过充电保持数据信号。自刷新是关闭系统时钟CKE,DRAM采用自己的内部时钟确定刷新速率。设置参数有Auto、Enabled、Disabled。默认设置是Auto。

DRAM Burst Length 32:DRAM突发模式的长度32。
突发模式是系统对内存读写时一次连续读写。连续读写的长度有32字节和64字节。这项设置就是选择32字节,还是64字节。设置参数有Auto、64字节、32字节。默认是Auto。Auto就是由系统依据数据分布自动采用突发模式的长度。

Bank Swizzle Mode:Bank搅和模式。
内存芯片内的存储单元是按矩阵排列的,每一矩阵组成一个Bank,芯片内的Bank有4 Bank、8 Bank等,一般中文称之为逻辑Bank。

内存芯片组成内存条后,也有Bank,一般以64位为一个Bank。通常一面内存的8颗芯片构成一个Bank。双面就是2个Bank。CPU和内存进行数据交换时以Bank为单位,一次交换64位数据,也就是通常说的“带宽”,双通道就是128位。这种Bank称之为物理Bank。CPU访问内存时先定位物理Bank,然后通过片选(信号)定位芯片内的逻辑Bank。

插在DIMM槽的内存条有1个或2个片选Bank,访问命令不管实际有几个片选Bank,都是覆盖2个。Bank Swizzle模式就是通过异或(XOR)逻辑运算,判定实际的片选Bank。设置参数有Auto、Disabled、Enabled。Auto就是交给BIOS和系统处理。Disabled就是禁止Swizzle模式,Enabled就是允许。Swizzle模式可以提高CPU的性能,但是会影响显卡性能。一般还是设置Auto为好。

2-2-4、1T/2T Memory Timing:1T/2T内存时序。
这个选项也叫做“命令速度”,就是内存控制器开始发送命令到命令被送到内存芯片的延迟。1T当然比2T快。但是要依据内存条的性能。性能低的设置1T后肯定要蓝屏死机。一般保持Auto设置即可,让BIOS自己去设置。

 
2-2-5、DCT Unganged Mode:内存通道控制模式。
选择内存通道的控制模式,Ganged是一个双通道,128位带宽。Unganged是2个单通道,64位x2带宽。设置选项是Disabled(Ganged)和Enabled(Unganged)。默认是Enabled。


2-2-6、Bank Interleaving:Bank交错存取。
内存bank 交错存取可以让系统对内存的不同bank同时存取,可以提升内存速度及稳定性。设置值有Auto和Disabled,默认值是Auto(开启交错存取)。


2-2-7、Power Down Enabled:开启或关闭DRAM Power Down。
内存掉电设置,选项有Disabled和Enabled。默认是Disabled。

 
设置为Enabled后,增加Power Down Mode选项,选择Channel模式和Chip Select模式。


2-2-8、MemClk Tristate C3/ATLVID:开启或关闭内存时钟在C3/ATLVID下的3态。默认是关闭的(Disabled)。

 
2-3、FSB/DRAM Ratio:前端总线和内存倍率设置。

 
默认设置是Auto,自动识别内存条的SPD,设置内存频率。回车可以手动设置。

 
通过设置倍率可以改变内存的频率,FSB=200,1:2就是DDR800,1:3.33就是DDR1333。1:4 就是DDR1600。
如果出现蓝屏死机现象,可以先通过这项设置降低内存频率试试,是不是内存不兼容或内存品质不良。如果降低频率可以排除故障,可以降频使用,或者更换内存条。

DDR3 1333内存条有3种,一种是SPD只有1066,没有1333,可以通过设置倍率(1:1.333)上到1333。第二种是SPD有1333,但是1333的参数不对,1333对应的频率应该是666,这种内存的频率是601,这样的内存也需要通过设置倍率上1333。第三种是标准的1333,SPD的1333频率参数是666或667。这种内存默认就可以上1333。

DDR3 1600内存有3种:超频1600的(SPD只有1333),可以通过设置倍率(1:4)到1600。第2种是SPD参数有1600(800),这样的内存条可以默认上1600。第3种是1600采用X.M.P规格,使用这种1600内存,BIOS会出现X.M.P选项,把这项设置为Disabled即可上1600。

3、内置显卡超频

为方便用户对内置显卡4200超频,BIOS把显卡频率设置选项移到核心菜单,叫做:Onboard VGA Core Over Clock。

 
Onboard VGA Core Over Clock的设置项有Disabled(默认)和Enabled。
开启显卡超频,增加一项调整显卡频率值的选项:Adjust Onboard VGA Frequency。默认值是500MHz。超频时直接键入频率值,比如550MHz。
« 最后编辑时间: 八月 10, 2014, 08:20:56 下午 作者 gogochen »
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Re: 01--微星AMD 785G主板的BIOS设置详解 <2009-10-30>
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续上二

4、HT和PCI相关设置
HT(超传输)总线是AMD的开发的芯片互连总线。AMD把内存控制器移到CPU,CPU内部采用HT总线。显卡采用PCIE总线,HT和PCIE之间需要桥接。AMD的北桥就起到HT和PCIE的桥接作用。北桥和CPU之间是HT总线连接。所以BIOS有HT总线的设置和PCIE总线的设置。相关设置有4项:

 
4-1、HT Link Control:HT链接控制。
这个选项设置需进入二级菜单。回车进入二级菜单后,看到的是2个选项:

 
HT Incoming Link Width和HT Outgoing Link Width:HT上行链接宽度和下行链接宽度。HT总线采用差分信号,单向串行传输。每一路采用一对信号线,一条发送信号(下行),一条接收信号(上行)。这两个选项就是设置HT总线的位宽。3个设置项:Auto(默认)、8位、16位。Auto是让系统自动设置,8位和16位是手动设置。

2-4-2、HT Link Speed:HT链接速度。
链接速度以倍率表示,从x1到x13。默认设置是Auto,系统自动依据CPU动态设置,FSB超频会自动提升HT链接速度。用户也可以手动设置固定的倍率。X1是200MHz,X5就是1000MHz,以此类推。

 
2-4-3、Adjust PCI-E Frequency:调整PCI-E频率。

 
系统给PCI-E的频率是100MHz,由于现在的FSB和PCI-E时钟频率是分开的,调整FSB频率不会影响PCI-E/PCI频率。超频时不必再考虑锁定PCI-E和PCI频率。BIOS也没有锁定选项。这里的PCI-E频率调整是为PCI-E超频设计的,直接键入超频频率值,超频范围是100MHz-150MHz。

2-4-4、Auto Disable DRAM/PCI Frequency:自动关闭DRAM/PCI时钟信号。
默认设置是Enabled,系统将关闭空闲的DRAM和PCI槽的时钟信号,降低干扰。
« 最后编辑时间: 八月 10, 2014, 08:30:46 下午 作者 gogochen »
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Re: 01--微星AMD 785G主板的BIOS设置详解一 <2009-10-30>
« 回复 #3 于: 八月 10, 2014, 08:31:04 下午 »

续上三

5、电压设置

785GM-E65 BIOS提供了8项电压设置:

 
CPU VDD电压:CPU VDD电压。调整范围视CPU型号不同而异
CPU-NB VDD电压:CPU内北桥VDD电压。调整范围视CPU型号不同而异
CPU电压:CPU核心电压。调整范围1.025-1.975V
CPU-NB电压:CPU内北桥电压。调整范围1.202-1.520V
DRAM电压:内存电压。调整范围1.50-2.42V
NB电压:北桥电压。调整范围1.108-1.337V
HT Link电压:HT总线链接电压。调整范围1.202-1.454V
SB电压:南桥电压。调整范围1.228-1.472V

(1)上面8项电压中,前2项VDD电压是CPU内的CMOS电路的漏极电压。就是CPU的VID电压。

(2)其余5项电压是供电电压。超频时提高一点电压可以提高超频成功率。因为超频后,CPU内的CMOS开关频率加快,输出信号的电平幅度会降低,导致信号不       稳定,提高一点供电电压,就会提高信号电平幅度,增强信号。
简单讲CPU内的所有晶体管都是CMOS电路,都是开关。CPU运算就是这些CMOS开关电路不停地“开”和“关”。“开”就是导通,让代表“1”的高电平信号通过。 “关”就是断开,信号变成低电平,表示“0”。如果代表“1”的高电平较低,就会与低电平的“0”混淆,CPU分辨不出“1”和“0”,自然运算就出错,导致死机、蓝屏。

(3)电压提升过高也不利于超频,因为电压过高,把信号电平也拉高,信号电平越高,CMOS开关的频率就无法加快。这个道理可以从CPU电压的进展历程看出来。486/586时代,CPU的核心电压和I/O电压都是3.3V。奔腾4开始,把CPU的核心电压与I/O分开,核心电压降到2V左右,现在降到1.xx V,降低信号电平就是要提高CPU的频率。CPU的频率取决于CMOS电路的开关速度,信号电平设计的越低,开关速度就越快。

(4)有些DIY发现,超频频率很高时,CPU满载运作会有“掉”电压的现象。于是想办法改电路,或者再提高电压。其实,“掉”电压是正常现象。频率提高30%,CMOS电路的开关频率提高30%,开关时间缩短30%,输出的高电平信号电压肯定降低,自然也要把供电电压拉低。

(5)所以,调整电压要适当,不是越高越好。上述8项电压设置,灰色的Auto表示默认电压。白色数字表示正常范围的电压。红色数字表示非正常电压,包括过高和过低的。

(6)调整电压时,可以用小键盘的“+”和“-”键,也可以用Page Up和Page Down键。

6、频展设置

 
Spread Spectrum(扩展频谱)技术是一种常用的无线通讯技术,简称展频技术。当主板上的时钟发生器工作时,脉冲的峰值会产生电磁干扰(EMI),展频技术可以降低脉冲发生器所产生的电磁干扰。在没有遇到电磁干扰问题时,应将此类项目的值全部设为“Disabled”,这样可以优化系统性能,提高系统稳定性;如果遇到电磁干扰问题,则应将该项设为“Enabled”以便减少电磁干扰。在将处理器超频时,最好将该项设置为“Disabled”,因为即使是微小的峰值飘移也会引起时钟的短暂突发,这样会导致超频后的处理器被锁死。




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